晶圆清洗
在半导体前端工艺中，晶圆表面残留的金属离子、抛光颗粒（如氧化铈）和有机物需彻底清除。超声波通过高频空化效应（20kHz-1MHz）剥离污染物，清洗后晶圆表面洁净度可达≤5颗粒（≥0.3μm）/cm²，满足光刻、沉积等后续工艺要求
。例如，多晶硅晶片清洗需结合去离子水与碱液的多级工艺，通过机械臂自动化操作实现均匀清洗。
光刻胶残留去除
光刻后残留的光刻胶和化学物质会影响后续蚀刻精度。超声波清洗机配合氨水/过氧化氢混合液（SC-1）或臭氧水，可分解并清除纳米级胶质残留，同时避免损伤晶圆表面微结构
。某案例显示，采用130kHz高频超声波后，光刻胶去除效率提升40%。
封装与测试环节
芯片封装过程中产生的焊锡颗粒、油脂需彻底清洁。超声波清洗机通过空化效应渗透至BGA焊球间隙，清除污染物，确保封装可靠性。测试前清洗则能减少信号干扰，提升良率
。威固特设备实测表明，封装后芯片的电气性能合格率从92%提升至99.5%。
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